近日，笔者从湖北省科技厅获悉，先进存储器湖北省重点实验室研究成果提出三维忆阻阵列设计、任意精度存算宏单元和全栈软硬件协同开发平台的创新体系，实现从器件、架构到应用的全链条突破。团队实现自整流忆阻器的大规模集成与超低功耗，通过界面势垒调控与能带工程设计三维垂直分立阵列，将擦写功耗降至10aJ以下，展现Gb级单片集成潜力；提出任意精度存算一体宏单元及混合域计算架构，实现从二值到FP32全精度可重构计算，原型系统在高精度AI任务中能效超H100 GPU 160倍；构建覆盖器件建模、仿真、算法编译与部署的全栈平台，加速研发迭代并推动技术向产业落地。
该研究成果在Science Advances、IEDM、DAC等顶级期刊与会议发表论文35篇，受到国际学术界的高度评价与广泛跟进，显著提升了我国在先进存储与计算领域的国际学术话语权。核心技术专利向华为、长江存储等头部企业许可转化19项，并交付原型验证系统，打通了从“基础研究”到“产业应用”的关键链路。相关成果获2025年度湖北省自然科学奖一等奖，中国研究生创芯大赛一等奖1项、二等奖2项，为我国突破高端芯片技术封锁、构建自主可控的智能计算产业生态提供了强有力的核心技术支撑。
